TSMC anuncia un puñado de nodos de proceso N2 de 3 nm que llegarán en 2025

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En una palabra: TSMC acaba de anunciar el lanzamiento de toda su línea de nodos de clase 3nm durante los próximos tres años. Su nueva tecnología FinFlex brindará a los diseñadores de chips aún más flexibilidad para optimizar cada celda estándar para el consumo de energía, el rendimiento y la densidad deseados.

TSMC acaba de presentar toda su familia de nodos de proceso N3. Los diseñadores de chips como AMD, Apple, Nvidia e incluso Intel utilizarán estos nodos en los próximos años para construir sus chips de última generación.

La empresa taiwanesa tiene un total de cinco nodos de clase 3nm diferentes. N3 comenzará la producción de alto volumen a finales de este año, y se espera que los primeros chips lleguen a los clientes a principios del próximo año. N3E se lanzará más adelante con mejoras de rendimiento y eficiencia, mayores rendimientos, pero una densidad lógica ligeramente reducida.

Alrededor de 2024, TSMC lanzará N3P, que se enfoca en mejorar el rendimiento. N3S, que no estaba en la hoja de ruta de TSMC, solo se mencionó brevemente en una conversación del vicepresidente sénior Kevin Zhang.

Finalmente, el N3X se lanzará aproximadamente un año después y permitirá un rendimiento extremadamente alto a voltajes más altos, con la eficiencia y el costo en un segundo plano. Este enfoque es similar al proceso N4X de clase de 5 nm que comenzará la producción en masa el próximo año.

Los nodos N3 y N3E de TSMC también admitirán la nueva tecnología FinFlex de la empresa. Actualmente, los diseñadores de chips deben elegir una biblioteca para cada bloque en un SoC. Con FinFlex no tendrán esta limitación y podrán combinar varias bibliotecas en cada bloque.

Pueden usar 2-1 FinFET (doble aleta simple) en algunas partes para reducir el consumo de energía y el tamaño del molde (costo) y optar por 3-2 FinFET en otras áreas donde el máximo rendimiento es de suma importancia. Mientras tanto, 2-2 FinFET proporcionan un equilibrio entre tamaño, rendimiento y consumo de energía.

TSMC también mencionó su próximo nodo de proceso N2, que utilizará transistores de efecto de campo alrededor de la puerta (GAAFET), con planes para comenzar la producción en serie en la segunda mitad de 2025.

Comparado con el N3E, consumiría un 25-30 % menos de energía a la misma frecuencia y permitiría un 10-15 % más de rendimiento con el mismo consumo de energía y la misma cantidad de transistores. Durante este tiempo, la densidad del chip aumentaría en más del 10 %.

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